制作方法可以申请专利吗_制作方法可以申请专利
天合光能申请太阳能电池及其制作方法以及光伏组件专利,能够使太阳...申请日期为2024 年5 月。专利摘要显示,本申请涉及一种太阳能电池及其制作方法以及光伏组件。该太阳能电池包括衬底、第一掺杂层、第二还有呢? 能够使第一掺杂层和第二掺杂层中的至少一者兼顾透光性、钝化性能和导电性能,降低第一掺杂层和第二掺杂层中的至少一者的寄生吸收,利于还有呢?
华微电子申请肖特基二极管制作方法专利,降低正向压降吉林华微电子股份有限公司申请一项名为“肖特基二极管及其制作方法”,公开号CN202410524936.8,申请日期为2024 年4 月。专利摘要显还有呢? 阴极导电层位于第一导电类型衬底远离第一导电类型外延层一侧。如此,通过设置交错排列的多个凹槽,可以使沟槽区域的面积相对减小,增加单还有呢?
福耀玻璃申请玻璃包边总成及其制作方法、车辆专利,避免饰板产生...申请日期为2024 年4 月。专利摘要显示,本申请涉及一种玻璃包边总成及其制作方法、车辆。玻璃包边总成包括:玻璃;饰板;以及包边,包边设置小发猫。 始终对饰板起到限位作用,该限位作用能够抵消包边料冷却时所产生的收缩力,从而使饰板保持外观平整度,避免饰板产生外观缺陷。本文源自金小发猫。
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...合光能申请太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统专利,能够...天合光能股份有限公司申请一项名为“太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统“公开号,申请日期为2024 年4 月。专利摘要显示,本说完了。 第二掺杂多晶硅层和第三掺杂多晶硅层。本发明的太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统,能够提升太阳能电池的转换效率。本文源自说完了。
京东方A公布国际专利申请:“阵列基板、其制作方法及显示装置”证券之星消息,根据企查查数据显示京东方A(000725)公布了一项国际专利申请,专利名为“阵列基板、其制作方法及显示装置”,专利申请号为PCT/CN2022/141878,国际公布日为2024年7月4日。专利详情如下:图片来源:世界知识产权组织(WIPO)今年以来京东方A已公布的国际专利申请好了吧!
京东方A公布国际专利申请:“显示基板及其制作方法、显示装置”证券之星消息,根据企查查数据显示京东方A(000725)公布了一项国际专利申请,专利名为“显示基板及其制作方法、显示装置”,专利申请号为PCT/CN2023/131975,国际公布日为2024年7月4日。专利详情如下:图片来源:世界知识产权组织(WIPO)今年以来京东方A已公布的国际专利申请还有呢?
...公布国际专利申请:“一种非制冷红外焦平面探测器模组及其制作方法”证券之星消息,根据企查查数据显示睿创微纳(688002)公布了一项国际专利申请,专利名为“一种非制冷红外焦平面探测器模组及其制作方法”,专利申请号为PCT/CN2022/144032,国际公布日为2024年7月4日。专利详情如下:图片来源:世界知识产权组织(WIPO)今年以来睿创微纳已公布的小发猫。
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中芯集成-U 申请“RC-IGBT 器件及其制作方法”专利,优化 FRD 性能,...芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“RC-IGBT 器件及其制作方法”,公开号CN202410749935.3,申请日期为2024 年6 月。专利摘后面会介绍。 所述铂掺杂低寿命区可以对RC-IGBT 器件中的FRD 进行载流子寿命控制,既具有扩铂所具有的复合中心能级位置优化以及高温稳定性好的优点后面会介绍。
甬矽电子申请传感器封装结构和传感器封装制作方法专利,提升芯片...金融界2024 年7 月12 日消息,天眼查知识产权信息显示,甬矽电子(宁波)股份有限公司申请一项名为“传感器封装结构和传感器封装制作方法“公开号CN202410749003.9,申请日期为2024 年6 月。专利摘要显示,本申请提供的一种传感器封装结构和传感器封装制作方法,涉及半导体封好了吧!
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卓胜微申请非对称侧墙结构及制作方法专利,提高器件性能金融界2024 年7 月5 日消息,天眼查知识产权信息显示,江苏卓胜微电子股份有限公司申请一项名为“一种非对称侧墙结构及制作方法“公开号CN202410249345.4,申请日期为2024 年3 月。专利摘要显示,本发明提供一种非对称侧墙结构及制作方法,该方法包括:提供基底,基底上具有栅等我继续说。
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